宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司LPCVD設(shè)備及高溫氧化爐項(xiàng)目（重新招標(biāo)）國(guó)際招標(biāo)公告

受招標(biāo)人委托對(duì)下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國(guó)際公開競(jìng)爭(zhēng)性招標(biāo)，于2023-08-30在 公告。 本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請(qǐng)合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。
1、招標(biāo)條件
項(xiàng)目概況：宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備及高溫氧化爐項(xiàng)目（重新招標(biāo)）
資金到位或資金來源落實(shí)情況：已落實(shí)
項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說明：已具備
2、招標(biāo)內(nèi)容：
招標(biāo)項(xiàng)目編號(hào)：0623-2340J1110092/01
招標(biāo)項(xiàng)目名稱：宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體 LPCVD設(shè)備及高溫氧化爐項(xiàng)目（重新招標(biāo)）
項(xiàng)目實(shí)施 其他詳見技術(shù)規(guī)格書	★包中設(shè)備不得拆分投標(biāo)。
包2	高溫氧化爐	8管	高溫氧化爐管采用SIMF模式（E84通訊功能），用于IGBT芯片制造200mm硅高溫氧化工藝。其他詳見技術(shù)規(guī)格書	★包中設(shè)備不得拆分投標(biāo)。

3、投標(biāo)人資格要求 投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績(jī)：包1：LPCVD設(shè)備: 1、投標(biāo)人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標(biāo)截止時(shí)間前36個(gè)月為有效，以合同或訂單簽訂時(shí)間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表等其他有效證明材料的落款時(shí)間為準(zhǔn)）LPCVD設(shè)備業(yè)績(jī)合計(jì)不低于50管。（投標(biāo)文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表） 2、投標(biāo)人如為貿(mào)易公司，必須隨投標(biāo)文件提供制造商針對(duì)本項(xiàng)目的《制造商授權(quán)書》。 包2：高溫氧化爐: 1、投標(biāo)人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標(biāo)截止時(shí)間前36個(gè)月為有效，以合同或訂單簽訂時(shí)間或制造商出具的簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表等其他有效證明材料的落款時(shí)間為準(zhǔn)）8寸及以上晶圓臥式爐管設(shè)備業(yè)績(jī)合計(jì)不低于20管。（投標(biāo)文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件或制造商出具的其他有效證明材料，如簽字或蓋章的業(yè)績(jī)明細(xì)表） 2、投標(biāo)人如為貿(mào)易公司，必須隨投標(biāo)文件提供制造商針對(duì)本項(xiàng)目的《制造商授權(quán)書》。 是否接受聯(lián)合體投標(biāo)：不接受 未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo)：不可以 4、

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